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专利名称：氮化物半导体器件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：神川刚,川口佳伸申请号：CN200910007990.0申请日：20070306公开号：CN101499620A公开日：20090805
摘要：本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
申请人：夏普株式会社
地址：日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号545-8522
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：陈瑞丰
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