一种ITO粗化的蒸镀方法[发明专利]

*CN103451605A*

(10)申请公布号(10)申请公布号 CN 103451605 A(43)申请公布日 2013.12.18

(12)发明专利申请

(21)申请号 201310414877.0(22)申请日 2013.09.12

(71)申请人昆山奥德鲁自动化技术有限公司

地址215300 江苏省苏州市昆山市城北西路

2666号(72)发明人郁彬

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所

(普通合伙) 32204

代理人柏尚春(51)Int.Cl.

C23C 14/30(2006.01)C23C 14/08(2006.01)C23C 14/02(2006.01)

权利要求书1页 说明书2页权利要求书1页 说明书2页

(54)发明名称

一种ITO粗化的蒸镀方法(57)摘要

本发明公开了一种用分步ITO蒸镀代替传统ITO蒸镀进行ITO粗化的方法；将浓硫酸和双氧水按照2：1的比例进行混合，同时降温至100度，将外延片放置其中进行充分清洗5min后，取出用清水冲洗干净。将清洗后外延片固定于镀锅内，采用ITO分步蒸镀的方式，改变每层ITO蒸镀时的速率和氧流量，从而使外延片最外层ITO达到粗化的效果；本工艺具有操作简单可行，按照上述流程蒸镀后的ITO表面粗化效果佳，出光效率后，极大得提高了LED芯片的外量子效率。

CN 103451605 ACN 103451605 A

权 利 要 求 书

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1.一种ITO粗化的蒸镀方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将浓硫酸和双氧水按照2:1进行混合，同时将混酸降温至100℃；（2）将外延片用提篮在混酸中进行充分清洗10min后，用清水进行冲洗，去除残留的化学物质；

（3）将清洗后的外延片固定于镀锅后，进行E-Beam轰击ITO靶材，进行ITO蒸镀；（4）ITO蒸镀的厚度为900A，采用分步蒸镀的方式进行蒸镀；（5）ITO蒸镀后按照正常LED芯片流程进行作业，直至芯粒以方片入库。2.根据权利要求1所述的一种ITO粗化的蒸镀方法，其特征在于：所述步骤（4）中分步蒸镀的方式为：初始阶段300A，镀率为0.5A/S，氧流量为10sccm，中间阶段300A，镀率为1A/S，氧流量为10sccm，最后阶段镀率为3A/S，氧流量为20sccm。

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CN 103451605 A

说 明 书

一种ITO粗化的蒸镀方法

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技术领域

[0001]

本发明涉及光电技术领域，尤其是一种ITO粗化的蒸镀方法。

背景技术

GaN作为第3代半导体材料，具有禁带宽，热导率高，电子饱和飘逸速率高，热稳定

性好等特点。在能源紧缺的今天，基于GaN的蓝光或绿光LED芯片具有较高的能效转换引起了大家的广发关注。ITO（铟锡氧化物）由于其可见的光透过率较高，电阻率较低故广泛应用于LED芯片制程工艺。然而由于蒸镀后的晶体态的ITO折射率较高，光线在LED芯片内传输时，容易在ITO表面形成全反射角，影响出光效率。[0003] 因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。

[0002]

发明内容

发明目的：为了解决现有技术所产生的问题，本发明提供了一种简单易行、粗化效果佳的ITO粗化的蒸镀方法。[0005] 技术方案：一种ITO粗化的蒸镀方法，其特征在于包括以下步骤：[0006] （1）将浓硫酸和双氧水按照2:1进行混合，同时将混酸降温至100℃；[0007] （2）将外延片用提篮在混酸中进行充分清洗10min后，用清水进行冲洗，去除残留的化学物质；[0008] （3）将清洗后的外延片固定于镀锅后，进行E-Beam轰击ITO靶材，进行ITO蒸镀；[0009] （4）ITO蒸镀的厚度为900A，采用分步蒸镀的方式进行蒸镀；[0010] （5）ITO蒸镀后按照正常LED芯片流程进行作业，直至芯粒以方片入库。[0011] 更进一步的，所述步骤（4）中分步蒸镀的方式为：初始阶段300A，镀率为0.5A/S，氧流量为10sccm，中间阶段300A，镀率为1A/S，氧流量为10sccm，最后阶段镀率为3A/S，氧流量为20sccm。

[0012] 有益效果：本发明公开了一种用分步ITO蒸镀代替传统ITO蒸镀进行ITO粗化的方法；将浓硫酸和双氧水按照2：1的比例进行混合，同时降温至100度，将外延片放置其中进行充分清洗5min后，取出用清水冲洗干净。将清洗后外延片固定于镀锅内，采用ITO分步蒸镀的方式，改变每层ITO蒸镀时的速率和氧流量，从而使外延片最外层ITO达到粗化的效果；本工艺具有操作简单可行，按照上述流程蒸镀后的ITO表面粗化效果佳，出光效率后，极大得提高了LED芯片的外量子效率。

[0004]

具体实施方式

[0013] 下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

[0014]

本发明公开了一种ITO粗化的蒸镀方法，包括以下步骤：

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CN 103451605 A

说 明 书

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[0015] （1）将浓硫酸和双氧水按照2:1进行混合，同时将混酸降温至100℃；

[0016] （2）将外延片用提篮在混酸中进行充分清洗10min后，用清水进行冲洗，去除残留

的化学物质；[0017] （3）将清洗后的外延片固定于镀锅后，进行E-Beam轰击ITO靶材，进行ITO蒸镀；[0018] （4）ITO蒸镀的厚度为900A，采用分步蒸镀的方式进行蒸镀；所述分步蒸镀的方式为：初始阶段300A，镀率为0.5A/S，氧流量为10sccm，中间阶段300A，镀率为1A/S，氧流量为10sccm，最后阶段镀率为3A/S，氧流量为20sccm；[0019] （5）ITO蒸镀后按照正常LED芯片流程进行作业，直至芯粒以方片入库。

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