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专利名称：用于制造顶栅底接触有机场效应晶体管的图案化方
法
专利类型：发明专利
发明人：林玮翔,M·周,李俊珉,李奇锡,S·贝克尔申请号：CN2019800124.5申请日：20190227公开号：CN112119515A公开日：20201222
摘要：本发明涉及一种在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，所述有机场效应晶体管包括：源极和漏极、半导体层、固化的第一介电层及栅极；所述方法包括：i)步骤，涂布包含有机半导体材料的组合物以形成半导体层；ⅱ)步骤，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物以形成第一介电层；ⅲ)步骤，通过光处理固化第一介电层的一部分；ⅳ)步骤，去除第一介电层的未固化的部分；及ⅴ)步骤，去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分；其中，所述第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物，所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A；所述聚合物嵌段B的重复单元的60mol％以上从由及组成的群组中选择；所述R、R、R、R、R、R、R及R分别，并且是H或者C‑烷基。
申请人：CLAP有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京派特恩知识产权代理有限公司
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