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专利名称：导电体的制造方法专利类型：发明专利
发明人：山田直臣,一杉太郎,长谷川哲也申请号：CN200880009011.9申请日：20080306公开号：CN101636796A公开日：20100127
摘要：本发明提供一种能以良好的生产性制造导电性优良并且透明性良好的氧化钛类导电体的方法。该方法包括：层叠物形成工序，在该层叠物形成工序中，在基体上形成由第一前体层和第二前体层以任意顺序层叠而成的前体层叠物；以及退火工序，在该退火工序中，在还原气氛下对前体层叠物加热，然后退火，藉此由第一前体层和第二前体层形成金属氧化物层；第一前体层由包含Nb的氧化钛形成，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶不包含金红石型结晶的氧化钛层；第二前体层是由包含Nb的氧化钛形成的非晶氧化钛层，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶包含金红石型结晶的氧化钛层。
申请人：旭硝子株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
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