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专利名称：封装结构及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：郑心圃,许峯诚,陈硕懋申请号：CN202010935246.3申请日：20200908公开号：CN112466861A公开日：20210309
摘要：本公开一些实施例提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括封装基板、位于封装基板上方的中介层基板以及位于中介层基板上方的多个半导体装置。中介层基板还具有一或多个凹槽，以收容或容纳不被允许安装在中介层基板表面上的附加的半导体装置。凹槽使得整体封装结构更薄。一些收容在中介层基板的凹槽中的半导体装置也可以电连接到中介层基板及/或中介层基板上方的半导体装置，以改善整体封装结构的电性能。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹市
国籍：CN
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
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