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DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Small Signal Diode ArraysDioden Sätze mit AllzweckdiodenNominal power dissipationNenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltagePeriodische Spitzensperrspannung7 Pin-Plastic case
7 Pin-KunststoffgehäuseWeight approx. – Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
200 mW80 V
18 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.6 gsee page 22s. Seite 22
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
\"DAP\": common anodes / gemeinsame Anoden \"DAN\": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratingsTypeTypDAN 601DAP 601
Repetitive peak reverse voltagePeriodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
8080
Grenzwerte
Surge peak reverse voltageStoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
8080
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operationDauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem BetriebPeak forward surge current, 50 Hz half sine-waveStoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
IFAVIFAVIFAVIFAVIFSM
100 mA 1)33 mA 1)100 mA 1)33 mA 1)500 mA
TU = 25/C
TA = 25/C
)Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden36228.02.2002
1
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DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Operating junction temperature – SperrschichttemperaturStorage temperature – Lagerungstemperatur
CharacteristicsForward voltageT = 10 mADurchlaßspannungj = 25/CIFLeakage currentTVSperrstrom
j = 25/C
R = 20 V
Reverse recovery timeISperrverzug
F = 10 mA through/überIR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)Valid per diode – Gültig pro Diode
2
)Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten28.02.2002
T– 50…+150/CTjS
– 50…+150/C
KennwerteVF< 1.0 V 1)IR< 25 nAtrr< 4 nsRthA
< 85 K/W 2)
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