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专利名称：半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法专利类型：发明专利
发明人：M·金勒,G·施密特,M·斯波恩,M·卡恩,J·斯泰恩布伦
纳,R·K·乔施
申请号：CN201510283585.7申请日：20150528公开号：CN105185818A公开日：20151223
摘要：根据各种实施例，一种半导体晶片可以包括：包括集成电路结构的半导体本体；以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层，该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。
申请人：英飞凌科技股份有限公司
地址：德国诺伊比贝尔格
国籍：DE
代理机构：北京市金杜律师事务所
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